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专利号: 201710479913X
申请人: 江南大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 基本电气元件
更新日期:2025-12-11
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种增强二维过渡金属硫化物光吸收的结构,其特征在于所述结构包括衬底、分布式布拉格反射镜(DBR)、二维过渡金属硫化物和贵金属纳米光栅。

2.根据权利要求1所述的一种增强二维过渡金属硫化物光吸收的结构,其特征在于:所述增强光吸收结构衬底选自蓝宝石、硅、氮化镓、砷化镓、氮化铝或尖晶石中的一种。

3.根据权利要求1所述的一种增强二维过渡金属硫化物光吸收的结构,其特征在于:所述的贵金属光栅材料选自金或银中的一种。

4.根据权利要求1所述的一种增强二维过渡金属硫化物光吸收的结构,其特征在于:通过调整DBR结构中材料的折射率和厚度,可以实现二维过渡金属硫化物在特定波段上对光的吸收增强。

5.根据权利要求1所述的一种增强二维过渡金属硫化物光吸收的结构,其特征在于:所述二维过渡金属硫化物中的过渡金属元素为钼、钨、铌、铼、钛中的一种,硫族元素为硫、硒、碲中的一种。