1.一种二硫化钨薄膜的制备方法，所述的方法包括如下步骤：

(1)镀膜前准备：对单晶硅片进行前处理，使其表面清洁、粗糙度不高于Ra 0.1；将石墨靶、WS2靶和前处理后的单晶硅片装入多靶磁控溅射沉积室，将沉积室的气压抽至1.0×10-

3Pa后，调整好靶基距，并将脉冲直流负偏压施加至基材上；

(2)非晶态碳膜的制备：通入高纯氩气为工作气体，然后以石墨靶作为溅射靶材，控制溅射功率为45W～80W，溅射气压为0.2Pa～0.8Pa，单晶硅片温度为100℃～300℃，于单晶硅片表面沉积厚度为20nm～400nm的非晶态碳膜；

(3)WS2薄膜的制备：将步骤(2)所得非晶态碳膜的温度调整到200℃，然后以WS2靶为溅射靶材，在非晶态碳膜上沉积厚度为140nm～740nm的WS2薄膜，从而获得二硫化钨薄膜。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤(1)中，控制靶基距为70mm，脉冲直流负偏压的幅值为50V，占空比为50％。

3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤(2)中，溅射时间为22min～270min。

4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤(3)中，控制溅射功率为60W，溅射气压为0.6Pa，沉积温度为200℃。

5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤(3)中，溅射时间为9min～46min。

6.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述制备方法按照如下步骤进行：(1)镀膜前准备：对单晶硅片进行前处理，使其表面清洁、粗糙度不高于Ra 0.1；将石墨靶、WS2靶和前处理后的单晶硅片装入多靶磁控溅射沉积室，将沉积室的气压抽至1.0×10-

3Pa后，控制靶基距为70mm，并将脉冲直流负偏压施加至基材上，脉冲直流负偏压的幅值为

50V，占空比为50％；

(2)非晶态碳膜的制备：通入高纯氩气为工作气体，然后以石墨靶作为溅射靶材，控制溅射功率为45W～80W，溅射气压为0.2Pa～0.8Pa，单晶硅片温度为100℃～300℃，溅射时间为22min～270min，于单晶硅片表面沉积厚度为20nm～400nm的非晶态碳膜；

(3)WS2薄膜的制备：将步骤(2)所得非晶态碳膜的温度调整到200℃，然后以WS2靶为溅射靶材，控制溅射功率为60W，溅射气压为0.6Pa，溅射时间为9min～46min，在非晶态碳膜上沉积厚度为140nm～740nm的WS2薄膜，从而获得二硫化钨薄膜。