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专利号: 2017100009758
申请人: 金陵科技学院
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 基本电气元件
更新日期:2025-07-25
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种内连上下双凸银门控隔离式等同凹面阴极结构的发光显示器,包括真空室和位于真空室内的消气剂和黑撑持墙,所述真空室由由上抗压平玻合并板、下抗压平玻合并板和透明玻璃框组成,在上抗压平玻合并板上有阳极氧化物低阻层、与阳极氧化物低阻层相连的阳极扩张宽厚膜层以及制备在阳极氧化物低阻层上面的荧光粉层;在下抗压平玻合并板上有内连上下双凸银门控隔离式等同凹面阴极结构;其特征在于:所述下抗压平玻合并板作为内连上下双凸银门控隔离式等同凹面阴极结构的衬底,所述衬底的材料为钠钙玻璃或硼硅玻璃;下抗压平玻合并板上的印刷的绝缘浆料层形成阻光隔断层;阻光隔断层上的印刷的银浆层形成阴极扩张宽厚膜层;阴极扩张宽厚膜层上的印刷的绝缘浆料层形成阴极等同凹底一层;阴极等同凹底一层为正六棱台形,阴极等同凹底一层的下表面为六棱形平面、位于阴极扩张宽厚膜层上,阴极等同凹底一层的上表面为六棱形平面、且和阴极等同凹底一层的下表面相平行,阴极等同凹底一层中心垂直轴线垂直于下抗压平玻合并板,阴极等同凹底一层的上表面中心位于阴极等同凹底一层中心垂直轴线上,阴极等同凹底一层的下表面中心位于阴极等同凹底一层中心垂直轴线上,阴极等同凹底一层的外侧面为直立的棱筒面;阴极等同凹底一层中存在矩形孔,矩形孔内印刷的银浆层形成阴极一层直立衔接层;阴极一层直立衔接层和阴极扩张宽厚膜层相互连通;阴极等同凹底一层上表面的印刷的银浆层形成阴极一层圆面衔接层;阴极一层圆面衔接层为圆形平面、位于阴极等同凹底一层上表面,阴极一层圆面衔接层的外边缘和阴极等同凹底一层六棱形上表面内切圆的圆边相重合,阴极一层圆面衔接层的圆中心位于阴极等同凹底一层中心垂直轴线上;阴极一层圆面衔接层和阴极一层直立衔接层相互连通;阴极一层圆面衔接层上的印刷的绝缘浆料层形成阴极等同凹底二层;阴极等同凹底二层的下表面为圆形平面、位于阴极一层圆面衔接层上,阴极等同凹底二层的上表面为圆形平面、且和阴极等同凹底二层的下表面相平行,阴极等同凹底二层中心垂直轴线垂直于下抗压平玻合并板,阴极等同凹底二层中心垂直轴线和阴极等同凹底一层中心垂直轴线相重合,阴极等同凹底二层的上表面中心位于阴极等同凹底二层中心垂直轴线上,阴极等同凹底二层的下表面中心位于阴极等同凹底二层中心垂直轴线上,阴极等同凹底二层的外侧面为向阴极等同凹底二层中心垂直轴线凹陷的内凹面、靠近上表面的部位和阴极等同凹底二层中心垂直轴线的距离小而远离上表面的部位和阴极等同凹底二层中心垂直轴线的距离大;阴极等同凹底二层中存在矩形孔,矩形孔内印刷的银浆层形成阴极二层直立衔接层;阴极二层直立衔接层和阴极一层圆面衔接层相互连通;阴极等同凹底二层上表面的印刷的绝缘浆料层形成阴极等同凹底三层;阴极等同凹底三层为六棱台锥形,阴极等同凹底三层的下表面为六棱形平面、位于阴极等同凹底二层上表面,阴极等同凹底三层的上表面为六棱形平面、且和阴极等同凹底三层的下表面相平行,阴极等同凹底三层中心垂直轴线垂直于下抗压平玻合并板,阴极等同凹底三层中心垂直轴线和阴极等同凹底一层中心垂直轴线相重合,阴极等同凹底三层的上表面中心位于阴极等同凹底三层中心垂直轴线上,阴极等同凹底三层的下表面中心位于阴极等同凹底三层中心垂直轴线上,阴极等同凹底三层六棱形上表面的内切圆圆半径小于阴极等同凹底三层六棱形下表面的内切圆圆半径,阴极等同凹底三层的外侧面为倾斜的棱筒面;阴极等同凹底三层中存在矩形孔,矩形孔内印刷的银浆层形成阴极三层直立衔接层;阴极三层直立衔接层和阴极二层直立衔接层相互连通;阴极等同凹底三层的上表面的印刷的银浆层形成阴极三层棱面衔接层;阴极三层棱面衔接层布满阴极等同凹底三层的六棱形上表面,阴极三层棱面衔接层的外边缘和阴极等同凹底三层六棱形上表面的外边缘相平齐,阴极三层棱面衔接层的棱面中心位于阴极等同凹底三层中心垂直轴线上;阴极三层棱面衔接层和阴极三层直立衔接层相互连通;阴极等同凹底三层外侧面上的印刷的绝缘浆料层形成阴极等同凹底四层;阴极等同凹底四层环绕在阴极等同凹底三层外侧面上,阴极等同凹底四层中心垂直轴线垂直于下抗压平玻合并板,阴极等同凹底四层中心垂直轴线和阴极等同凹底一层中心垂直轴线相重合,阴极等同凹底四层的下表面位于阴极等同凹底三层外侧面上,阴极等同凹底四层的上表面为倾斜的坡面、靠近阴极等同凹底四层中心垂直轴线的部位的高度高而远离阴极等同凹底四层中心垂直轴线的部位的高度低,阴极等同凹底四层的上表面和下表面的界限线与阴极等同凹底三层上表面的外边缘相重合,阴极等同凹底四层上表面的外边缘为环绕阴极等同凹底四层中心垂直轴线的圆环,阴极等同凹底四层的外下侧面为直立的圆筒面,阴极等同凹底四层的外上侧面为向阴极等同凹底四层中心垂直轴线凹陷的内凹面、靠近上表面的部位和阴极等同凹底四层中心垂直轴线的距离小而远离上表面的部位和阴极等同凹底四层中心垂直轴线的距离大,阴极等同凹底四层外上侧面的倾斜度和阴极等同凹底二层外侧面的倾斜度相同,阴极等同凹底四层外上侧面的向内弯曲度和阴极等同凹底二层外侧面的向内弯曲度相同;阴极等同凹底四层上表面的印刷的银浆层形成阴极四层环面衔接层;阴极四层环面衔接层位于阴极等同凹底四层上表面上,阴极四层环面衔接层的内边缘和阴极三层棱面衔接层的外边缘相连接,阴极四层环面衔接层的外边缘和阴极等同凹底四层上表面的外边缘相平齐,阴极四层环面衔接层布满阴极等同凹底四层的上表面;阴极四层环面衔接层和阴极三层棱面衔接层相互连通;阴极三层棱面衔接层和阴极四层环面衔接层上的印刷的绝缘浆料层形成阴极等同凹底五层;阴极等同凹底二层外侧面上的刻蚀的金属层形成阴极转接电极下层;阴极转接电极下层位于阴极等同凹底二层外侧面上,阴极转接电极下层为凹面形,阴极转接电极下层的凹面下边缘和阴极一层圆面衔接层相连接,阴极转接电极下层的凹面下边缘为环绕阴极等同凹底二层中心垂直轴线的圆环形,阴极转接电极下层的凹面上边缘和阴极等同凹底二层上表面相平齐,阴极转接电极下层的凹面上边缘为环绕阴极等同凹底二层中心垂直轴线的圆环形;阴极转接电极下层和阴极一层圆面衔接层相互连通;阴极等同凹底四层外上侧面的刻蚀的金属层形成阴极转接上层;阴极转接电极上层位于阴极等同凹底四层外上侧面上,阴极转接电极上层为凹面形,阴极转接电极上层和阴极转接电极下层是相互隔离的,阴极转接电极上层的凹面上边缘和阴极四层环面衔接层相连接,阴极转接电极上层的凹面上边缘为环绕阴极等同凹底四层中心垂直轴线的圆环形,阴极转接电极上层的凹面下边缘和阴极等同凹底四层外上侧面的下边缘相平齐,阴极转接电极上层的凹面下边缘为环绕阴极等同凹底四层中心垂直轴线的圆环形;阴极转接电极上层和阴极四层环面衔接层相互连通;阻光隔断层上的印刷的绝缘浆料层形成门极等同凹底一层;门极等同凹底一层的下表面为平面、位于阻光隔断层上;门极等同凹底一层中存在圆形孔,圆形孔内暴露出阴极等同凹底一层、阴极等同凹底二层、阴极等同凹底三层、阴极等同凹底四层、阴极等同凹底五层、阴极转接电极下层和阴极转接电极上层;门极等同凹底一层圆形孔在门极等同凹底一层上、下表面形成的截面为中空圆面;门极等同凹底一层上表面的印刷的银浆层形成门极双凸面电极底层;门极双凸面电极底层为倾斜的向上凸起的凸面形、位于门极等同凹底一层上表面,门极双凸面电极底层的前端和门极等同凹底一层圆形孔的内侧壁相平齐,门极双凸面电极底层的后端朝向远离圆形孔方向,门极双凸面电极底层的前端高度低而后端高度高;门极等同凹底一层上表面的再次印刷的银浆层形成门极双凸面电极后层;门极双凸面电极后层为倾斜的斜直面形、位于门极等同凹底一层上表面上,门极双凸面电极后层的前端朝向圆形孔方向、而后端朝向远离圆形孔方向,门极双凸面电极后层的前端高度低而后端高度高,门极双凸面电极后层的前末端和门极双凸面电极底层的后末端相连接;门极双凸面电极后层和门极双凸面电极底层相互连通;门极双凸面电极底层上的印刷的绝缘浆料层形成门极等同凹底二层;门极等同凹底二层侧面上的印刷的银浆层形成门极双凸面电极前层;门极双凸面电极前层为向上凸起的凸面形、位于门极等同凹底二层侧面上;门极双凸面电极前层的前端朝向圆形孔方向、而后端朝向远离圆形孔方向,门极双凸面电极前层的前端高度高而后端高度低,门极双凸面电极前层的后末端和门极双凸面电极底层相连接;门极双凸面电极前层和门极双凸面电极底层相互连通;门极双凸面电极底层、门极双凸面电极后层和门极双凸面电极前层上的印刷的绝缘浆料层形成门极等同凹底三层;门极等同凹底二层、门极等同凹底三层和门极等同凹底一层上的印刷的银浆层形成门极双凸面电极顶层;门极双凸面电极顶层为倾斜的向上凸起的凸面形,门极双凸面电极顶层的前端和圆形孔的内侧壁相平齐,门极双凸面电极顶层的后端朝向远离圆形孔方向,门极双凸面电极顶层的前端高度低而后端高度高,门极双凸面电极顶层和门极双凸面电极前层的前末端相连接,门极双凸面电极顶层和门极双凸面电极后层的后末端相连接,门极双凸面电极顶层的弯曲度和门极双凸面电极底层的弯曲度相同,门极双凸面电极顶层的倾斜度和门极双凸面电极底层的倾斜度相同;门极双凸面电极顶层和门极双凸面电极前层相互连通;门极双凸面电极顶层和门极双凸面电极后层相互连通;阻光隔断层上的印刷的绝缘浆料层形成门极等同凹底四层;门极等同凹底四层的下表面为平面、位于阻光隔断层上;门极等同凹底四层上的印刷的银浆层形成门极扩张宽厚膜层;门极扩张宽厚膜层和门极双凸面电极顶层相互连通;门极扩张宽厚膜层和门极双凸面电极后层相互连通;门极双凸面电极顶层上的印刷的绝缘浆料层形成门极等同凹底五层;碳纳米管制备在阴极转接电极下层和阴极转接电极上层上。

2.根据权利要求1所述的内连上下双凸银门控隔离式等同凹面阴极结构的发光显示器,其特征在于:所述的内连上下双凸银门控隔离式等同凹面阴极结构的固定位置为下抗压平玻合并板;阴极转接电极下层为金属银、镍、铜、铝、钼、铬或锡;阴极转接电极上层为金属银、镍、铜、铝、钼、铬或锡。

3.根据权利要求1所述的内连上下双凸银门控隔离式等同凹面阴极结构的发光显示器的制作方法,其特征在于包括以下步骤:

1)下抗压平玻合并板的制作:对平面钠钙玻璃进行划割,形成下抗压平玻合并板;

2)阻光隔断层的制作:在下抗压平玻合并板上印刷绝缘浆料,经烘烤、烧结工艺后形成阻光隔断层;

3)阴极扩张宽厚膜层的制作:在阻光隔断层上印刷银浆,经烘烤、烧结工艺后形成阴极扩张宽厚膜层;

4)阴极等同凹底一层的制作:在阴极扩张宽厚膜层上印刷绝缘浆料,经烘烤、烧结工艺后形成阴极等同凹底一层;

5)阴极一层直立衔接层的制作:在阴极等同凹底一层矩形孔内印刷银浆,经烘烤、烧结工艺后形成阴极一层直立衔接层;

6)阴极一层圆面衔接层的制作:在阴极等同凹底一层上表面印刷银浆,经烘烤、烧结工艺后形成阴极一层圆面衔接层;

7)阴极等同凹底二层的制作:在阴极一层圆面衔接层上印刷绝缘浆料,经烘烤、烧结工艺后形成阴极等同凹底二层;

8)阴极二层直立衔接层的制作:在阴极等同凹底二层矩形孔内印刷银浆,经烘烤、烧结工艺后形成阴极二层直立衔接层;

9)阴极等同凹底三层的制作:在阴极等同凹底二层上表面印刷绝缘浆料,经烘烤、烧结工艺后形成阴极等同凹底三层;

10)阴极三层直立衔接层的制作:在阴极等同凹底三层矩形孔内印刷银浆,经烘烤、烧结工艺后形成阴极三层直立衔接层;

11)阴极三层棱面衔接层的制作:在阴极等同凹底三层的上表面印刷银浆,经烘烤、烧结工艺后形成阴极三层棱面衔接层;

12)阴极等同凹底四层的制作:在阴极等同凹底三层外侧面上印刷绝缘浆料,经烘烤、烧结工艺后形成阴极等同凹底四层;

13)阴极四层环面衔接层的制作:在阴极等同凹底四层上表面印刷银浆,经烘烤、烧结工艺后形成阴极四层环面衔接层;

14)阴极等同凹底五层的制作:在阴极三层棱面衔接层和阴极四层环面衔接层上印刷绝缘浆料,经烘烤、烧结工艺后形成阴极等同凹底五层;

15)阴极转接电极下层的制作:在阴极等同凹底二层外侧面上制备出一个金属镍层,刻蚀后形成阴极转接电极下层;

16)阴极转接电极上层的制作:在阴极等同凹底四层外上侧面制备出一个金属镍层,刻蚀后形成阴极转接电极上层;

17)门极等同凹底一层的制作:在阻光隔断层上印刷绝缘浆料,经烘烤、烧结工艺后形成门极等同凹底一层;

18)门极双凸面电极底层的制作:在门极等同凹底一层上表面印刷银浆,经烘烤、烧结工艺后形成门极双凸面电极底层;

19)门极双凸面电极后层的制作:在门极等同凹底一层上表面再次印刷银浆,经烘烤、烧结工艺后形成门极双凸面电极后层;

20)门极等同凹底二层的制作:在门极双凸面电极底层上印刷绝缘浆料,经烘烤、烧结工艺后形成门极等同凹底二层;

21)门极双凸面电极前层的制作:在门极等同凹底二层侧面上印刷银浆,经烘烤、烧结工艺后形成门极双凸面电极前层;

22)门极等同凹底三层的制作:在门极双凸面电极底层、门极双凸面电极后层和门极双凸面电极前层上印刷绝缘浆料,经烘烤、烧结工艺后形成门极等同凹底三层;

23)门极双凸面电极顶层的制作:在门极等同凹底二层、门极等同凹底三层和门极等同凹底一层上印刷银浆,经烘烤、烧结工艺后形成门极双凸面电极顶层;

24)门极等同凹底四层的制作:在阻光隔断层上印刷绝缘浆料,经烘烤、烧结工艺后形成门极等同凹底四层;

25)门极扩张宽厚膜层的制作:在门极等同凹底四层上印刷银浆,经烘烤、烧结工艺后形成门极扩张宽厚膜层;

26)门极等同凹底五层的制作:在门极双凸面电极顶层上印刷绝缘浆料,经烘烤、烧结工艺后形成门极等同凹底五层;

27)内连上下双凸银门控隔离式等同凹面阴极结构的清洁:对内连上下双凸银门控隔离式等同凹面阴极结构的表面进行清洁处理,除掉杂质和灰尘;

28)碳纳米管层的制作:将碳纳米管印刷在阴极转接电极下层和阴极转接电极上层上,形成碳纳米管层;

29)碳纳米管层的处理:对碳纳米管层进行后处理,改善其场发射特性;

30)上抗压平玻合并板的制作:对平面钠钙玻璃进行划割,形成上抗压平玻合并板;

31)阳极氧化物低阻层的制作:对覆盖于上抗压平玻合并板表面的锡铟氧化物膜进行刻蚀,形成阳极氧化物低阻层;

32)阳极扩张宽厚膜层的制作:在上抗压平玻合并板上印刷银浆,经烘烤、烧结工艺后形成阳极扩张宽厚膜层;

33)荧光粉层的制作:在阳极氧化物低阻层上印刷荧光粉,经烘烤工艺后形成荧光粉层;

34)显示器器件装配:将消气剂安装固定在上抗压平玻合并板的非显示区域;然后,将上抗压平玻合并板、下抗压平玻合并板、透明玻璃框和黑撑持墙装配到一起,用夹子固定;

35)显示器器件封装:对已经装配的显示器器件进行封装工艺形成成品件。

4.根据权利要求3所述的内连上下双凸银门控隔离式等同凹面阴极结构的发光显示器的制作方法,其特征在于:所述步骤32是在上抗压平玻合并板的非显示区域印刷银浆,经过烘烤之后,放置在烧结炉中进行烧结,最高烘烤温度150ºC,最高烘烤温度保持时间5分钟,最高烧结温度532 ºC,最高烧结温度保持时间10分钟。

5.根据权利要求3所述的内连上下双凸银门控隔离式等同凹面阴极结构的发光显示器的制作方法,其特征在于:所述步骤33是在上抗压平玻合并板的阳极氧化物低阻层上印刷荧光粉,然后放置在烘箱中进行烘烤,最高烘烤温度135ºC,最高烘烤温度保持时间8分钟。

6.根据权利要求3所述的内连上下双凸银门控隔离式等同凹面阴极结构的发光显示器的制作方法,其特征在于:所述步骤35的封装工艺是将显示器器件放入烘箱中进行烘烤;放入烧结炉中进行烧结;在排气台上进行器件排气、封离;在烤消机上对消气剂进行烤消,最后加装管脚形成成品件。