1.一种横向生长非晶硅纳米线的制备方法，其特征在于包括如下步骤；

1)把衬底用浓度为0.1-0.3mol/L的氢氧化钠溶液在100-300℃刻蚀，然后将衬底依次用超纯水、乙醇、丙酮、超纯水分别超声清洗15min；

2)将上述经过刻蚀的衬底作为基底，采用射频磁控溅射法在衬底上沉积镍膜，作为硅纳米线生长所需要的催化剂；

3)将上述沉积有镍膜的衬底放入带凹槽的样品靶台上，采用直流喷射CVD法制备横向生长非晶硅纳米线。

2.根据权利要求1所述横向生长非晶硅纳米线的制备方法，其特征在于：所述步骤1)中衬底为硅片、钽片、钼片或钛片。

3.根据权利要求1所述横向生长非晶硅纳米线的制备方法，其特征在于：所述步骤2)中溅射过程工艺参数为；采用纯度为99.99％的镍靶材，真空度不大于1×10-4 Pa ，溅射功率为100-150 W ，Ar气流量为10sccm，溅射压强为0.5-1.5Pa，靶基距为5-8cm，衬底不加热，沉积时间为30-60s。

4.根据权利要求1所述横向生长非晶硅纳米线的制备方法，其特征在于：所述步骤3)中直流喷射CVD法工艺参数为；氢气流量为1-2L/min，氩气流量为1-2L/min，腔压为3000-

5000Pa，泵压为9000-13000Pa，弧电压为110-120V，弧电流为80-100A，温度范围为850-1000℃，反应时间为10-30min。

5.一种权利要求1所制备的横向生长非晶硅纳米线的应用，其特征在于：用于纳米电子器件和超级电容器。