1.一种在电磁耦合场作用下制备硅纳米结构的方法，其特征是按如下步骤：步骤一，对硅片进行贵金属涂层；

步骤二，制备硅纳米结构：一反应釜中盛入蚀刻溶液，反应釜设置电场发生装置以及磁场发生装置；步骤一的硅片置入反应釜且浸入所述的蚀刻溶液，先启动电场发生装置，后启动磁场发生装置，反应设定时间后，制得硅纳米结构；

所述的反应釜包括筒状铁芯，铁芯具有内部容纳区，铁芯的外壁缠绕有漆包线圈，形成所述的磁场发生装置。

2.如权利要求1所述在电磁耦合场作用下制备硅纳米结构的方法，其特征是：待步骤一的反应结束后，用去离子水冲洗以去除表面的残液。

3.如权利要求1所述在电磁耦合场作用下制备硅纳米结构的方法，其特征是：在10～30℃下，启动电场发生装置，其中，电场发生装置采用直流电，电流大小为0～30mA；和/或，磁场发生装置采用直流电源，电流大小为0～100mA。

4.如权利要求1所述在电磁耦合场作用下制备硅纳米结构的方法，其特征是：所述的反应釜内壁安装有对称的两石墨电极，两块石墨电极的相对面相平行，形成所述的电场发生装置。

5.如权利要求1或3所述在电磁耦合场作用下制备硅纳米结构的方法，其特征是：步骤二的反应时间为10～90min，反应结束后，取出硅片并用去离子水冲洗。