1.一种以肼类为还原剂单原子层沉积技术生长金属Cu的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：A)将衬底置于反应腔中，在真空条件下，以脉冲形式向反应腔中通入气相Cu前驱体进行沉积，得到沉积有Cu前驱体的衬底；B)将气相还原剂肼类以脉冲形式通入反应腔，对沉积在衬底上的Cu前驱体进行还原，沉积得到金属Cu薄膜；

所述Cu前驱体包括具有式I或者II所示结构的化合物：其中R1、R2、R3为C1～C10的烃链或者三甲基硅基，R1、R2、R3三者相同或者不同；

其中R4为C1～C10的烃链或者三甲基硅基。

所述还原剂包括具有式III所示结构的化合物：

5 6 7 8 5 6 7 8

其中R、R、R、R为氢原子或者C1～C5的烃链，R、R、R、R相同或者不同。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤A)中以脉冲形式向反应腔中通入气相Cu前驱体的单个脉冲的持续时间为0.05～20s。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤A)中两个脉冲之间的间隔时间为

0.5～30s。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤A)中的沉积的温度为125～400℃。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述气相Cu前驱体在载气存在条件下以脉冲形式通入。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤B)中将气相还原剂以脉冲形式通入反应腔的单个脉冲的持续时间为0.01～20s。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述步骤B)中两个脉冲之间的间隔时间为

0.5～30s。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤B)中气相还原剂在载气存在的条件下以气相脉冲形式通入。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体衬底为硅、氧化硅、氮化硅、TaN、蓝宝石中的任意一种或几种。