1.一种高介电常数低损耗束腰状磁滞回线多铁性复合陶瓷，其特征在于，该复合陶瓷的化学组成表达为：0.88BaTiO3-0.12Ba(1-x)SrxFe12O19，0.2≤x≤0.8。

2.一种高介电常数低损耗束腰状磁滞回线多铁性复合陶瓷的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)取TiCl4和BaCl2·2H2O，先后溶解于蒸馏水中；

2)称取KOH，并溶解于步骤1)所得溶液中，制得前驱液；

3)将前驱液在180～220℃下，微波水热反应25～35min，制得反应产物，将反应产物水洗至中性；

4)按Ba(1-x)SrxFe12O19，0.2≤x≤0.8中Ba2+，Sr2+，Fe3+的摩尔比，称取Ba(NO3)2，Sr(NO3)2和Fe(NO3)3·9H2O，溶解于蒸馏水中，调节溶液pH值至≥13，制得碱性溶液，将该碱性溶液在

170～190℃下，微波水热25～30min，制得反应产物，将反应产物水洗至中性；

5)将步骤3)制得的反应产物和步骤4)制得的反应产物按照BaTiO3：Ba(1-x)SrxFe12O19为

0.88：0.12的摩尔比混合后烘干，得到混合粉体，再滴加体积浓度为5％的PVA粘结剂，直至造粒呈均匀球状，然后压制成型，制得坯体；

6)将坯体在600℃排胶2h，得到陶瓷生坯，然后将陶瓷生坯在1000℃～1100℃下微波烧结5min，制得高介电常数低损耗束腰状磁滞回线多铁性复合陶瓷。

3.根据权利要求2所述的一种高介电常数低损耗束腰状磁滞回线多铁性复合陶瓷的制备方法，其特征在于，所用的原料TiCl4、BaCl2·2H2O及KOH的摩尔比为：TiCl4：BaCl2·2H2O：KOH＝1：2：10。

4.根据权利要求2所述的一种高介电常数低损耗束腰状磁滞回线多铁性复合陶瓷的制备方法，其特征在于，步骤6)制得高介电常数低损耗束腰状磁滞回线多铁性复合陶瓷后，还包括对其进行表面抛光，被银电极，在600℃保温10min，烧渗银电极的操作，制得复合陶瓷样品。

5.根据权利要求4所述的一种高介电常数低损耗束腰状磁滞回线多铁性复合陶瓷的制备方法，其特征在于，烧渗银电极的升温制度为：以2℃/min的升温速率从室温升温到200℃，然后以3℃/min的升温速率从200℃升温到500℃，最后以5℃/min的升温速度从500℃升温到600℃，降温时，随炉冷却。

6.根据权利要求2所述的一种高介电常数低损耗束腰状磁滞回线多铁性复合陶瓷的制备方法，其特征在于，步骤6)所述排胶的升温制度为：以2℃/min的升温速率从室温升温到

200℃，然后以3℃/min的升温速率从200℃升温到500℃，最后以5℃/min的升温速度从500℃升温到600℃，降温时，随炉冷却。

7.根据权利要求2所述的一种高介电常数低损耗束腰状磁滞回线多铁性复合陶瓷的制备方法，其特征在于，步骤6)所述微波烧结的输出功率为1500W，升温速率为25℃/min，且在

30min内从室温升温到1000℃～1100℃，降温时，随炉冷却。

8.根据权利要求2所述的一种高介电常数低损耗束腰状磁滞回线多铁性复合陶瓷的制备方法，其特征在于，步骤3)和步骤4)水洗用水为蒸馏水，水洗5～6次。

9.根据权利要求2所述的一种高介电常数低损耗束腰状磁滞回线多铁性复合陶瓷的制备方法，其特征在于，原料TiCl4、BaCl2·2H2O、Fe(NO3)3·9H2O、KOH、Sr(NO3)2和Ba(NO3)2的纯度均为99.0％以上。