1.一种GeTe/Ge类超晶格纳米相变薄膜材料，其包括碲化锗薄膜材料和单质锗薄膜材料，二者通过交替叠加形成类超晶格结构；所述GeTe/Ge类超晶格纳米相变薄膜材料的结构通式为[GeTe(a)/Ge(b)]x，其中：a表示单层GeTe薄膜材料的厚度，单位为nm，并且1≤a≤

50；b表示单层Ge薄膜材料的厚度，单位为nm，并且1≤b≤10；x表示单层GeTe薄膜材料和单层Ge薄膜材料的交替周期数，并且x为任一正整数。

2.一种根据权利要求1所述的GeTe/Ge类超晶格纳米相变薄膜材料的制备方法，其通过磁控溅射法将GeTe薄膜材料和单质Ge薄膜材料进行纳米量级复合，形成具有类超晶格结构的纳米相变薄膜材料。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于：

所述磁控溅射法采用的衬底为SiO2/Si(100)基片；溅射靶材为GeTe和Ge；溅射气体为氩气。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于：

所述溅射靶材为原子百分比纯度达到99.999％的GeTe和原子百分比纯度达到

99.999％的Ge；所述溅射气体为体积百分比纯度达到99.999％的氩气。

5.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于：

所述磁控溅射法的本底真空度不大于1×10-4Pa；溅射功率为25～35W；氩气气体流量为25～35sccm；溅射气压为0.15～0.35Pa。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于：

所述磁控溅射法的溅射功率为30W；氩气气体流量为30sccm；溅射气压为0.3Pa。

7.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于：

所述磁控溅射法具体包括如下步骤：

1)清洗SiO2/Si(100)基片；

2)装好溅射靶材；设定溅射功率、溅射氩气流量及溅射气压；

3)采用射频溅射程序制备GeTe/Ge类超晶格纳米相变薄膜材料。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于：

步骤3)中所述射频溅射程序包括如下步骤：

a)将空基托旋转到GeTe靶位，打开GeTe靶上的射频电源，依照设定的溅射时间，开始对GeTe靶材表面进行溅射，清洁GeTe靶材表面；

b)GeTe靶材表面清洁完成后，关闭GeTe靶上的射频电源，将空基托旋转到Ge靶位，开启Ge靶上的射频电源，依照设定的溅射时间，开始对Ge靶材表面进行溅射，清洁Ge靶材表面；

c)Ge靶材表面清洁完成后，将待溅射的SiO2/Si(100)基片旋转到GeTe靶位，打开GeTe靶上的射频电源，依照设定的溅射时间，开始溅射GeTe薄膜；

d)GeTe薄膜溅射完成后，关闭GeTe靶上的射频电源，将已经溅射了GeTe薄膜的基片旋转到Ge靶位，开启Ge靶上的射频电源，依照设定的溅射时间，开始溅射Ge薄膜；

e)重复步骤c)和d)中溅射GeTe薄膜和Ge薄膜的操作，即在SiO2/Si(100)基片上制备出GeTe/Ge类超晶格纳米相变薄膜材料。

9.根据权利要求1所述的GeTe/Ge类超晶格纳米相变薄膜材料在制备相变存储器中的应用。