1.一种斜抛光纤压力传感器的制作方法，其特征在于，基于斜抛光纤和硅片腐蚀工艺制作，具体包括如下步骤：步骤一、硅片清洗

对两片相同的硅片进行RCA标准清洁，用丙酮、酒精、去离子水超声清洗5分钟，然后用氮气吹干；

步骤二、V型光纤槽阵列的制作

首先对经过清洗洁净后的单晶硅进行双面氧化，单面沉积氮化硅，形成保护层；再制作掩膜板，光刻开窗，选择性去除保护层，形成V型光纤槽阵列图案；接着用KOH溶液进行硅片湿法腐蚀，控制反应时间得到光纤槽所需深度；最后去除氧化硅、氮化硅保护膜即可；

步骤三、硅敏感膜阵列的制作

首先对经过清洗洁净后的单晶硅进行双面氧化，单面沉积氮化硅，形成保护层；再制作掩膜板，光刻开窗，选择性去除保护层，形成硅敏感膜阵列图案；接着用KOH溶液进行硅片湿法腐蚀，控制反应时间得到硅敏感膜所需厚度，硅敏感膜厚200μm；最后去除氧化硅、氮化硅保护膜即可；

步骤四、V型光纤槽阵列与硅敏感膜阵列的硅‑硅键合

将V型光纤槽阵列中的V型槽和硅敏感膜阵列中的硅敏感膜的基底固定在两加热器中间并紧密接触，加温一段时间后，加高电压，使两者完成硅‑硅键合；

步骤五、斜抛光纤

进行光纤排纤工作，并对排好的光纤端面进行的斜抛并抛光，构建45度反射面；

步骤六、光纤斜面镀膜

利用磁控溅射镀膜机在抛磨好的光纤45度斜面上镀银膜；银膜厚度约为50nm；

步骤七、光纤在V型光纤槽阵列的安装

将排好的45度光纤压入与之排布方式对应的光纤槽阵列中，光纤45度端面朝上，光纤侧壁与硅敏感膜保持平行，保证出射光垂直入射到硅敏感膜并能反射回45度光纤中，然后向V型槽中注入紫外粘结剂，盖上玻璃盖板并将其压紧，用紫外灯照射使紫外粘结剂固化；

光纤45度端面能够与基底的硅敏感膜形成F‑P腔，光经过光纤直接进入F‑P腔，避免了其他介质对光路的影响，且F‑P腔的腔长为322.71μm；

步骤八、封装

将固定好的光纤阵列以等间距的V型槽为基准切割为相同大小的单个传感部件，进行封装。

2.一种斜抛光纤压力传感器，基于权利要求1所述的斜抛光纤压力传感器的制作方法而制成，其特征在于，包括V型光纤槽、硅敏感膜以及斜抛光纤，该斜抛光纤的端面具有倾斜的光纤反射面；V型光纤槽的背部通过硅‑硅键合的方式和硅敏感膜的基底连接成一体；斜抛光纤搭接在V型光纤槽的两倾斜槽壁上，且斜抛光纤与V型光纤槽的两槽壁形成的间隙中采用紫外粘结剂粘结固定；光纤反射面背向V型光纤槽设置；所述斜抛光纤的侧壁与硅敏感膜形成法布里‑珀罗腔。