1.一种单原子层沉积技术生长含Ni薄膜的方法，包括以下步骤：A)将半导体衬底置于反应腔中，在真空条件下，以脉冲形式向反应腔中通入气相Ni源进行沉积，得到沉积有Ni源的衬底，所述Ni源包括具有式1 所示结构的化合物：B)将气相还原剂以脉冲形式通入反应腔，对沉积在衬底上的Ni源进行还原，得到沉积有含Ni薄膜的衬底。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤A)中以脉冲形式向反应腔中通入气相Ni源的单个脉冲的持续时间为0.05～20s。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述步骤A)中两个脉冲之间的间隔时间为

0.5～30s。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤A)中的沉积的温度为125～400℃。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述气相Ni源在载气存在条件下以脉冲形式通入；

所述载气的流量为10～200sccm。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤B)中气相还原剂包括H2、NH3、B2H6、单烷基硼烷、氨基硼烷、醇类、肼类、烷基铝、氨基铝烷类和烷基锌中的一种或几种。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤B)中将气相还原剂以脉冲形式通入反应腔的单个脉冲的持续时间为0.01～20s。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述步骤B)中两个脉冲之间的间隔时间为

0.5～30s。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤B)中气相还原剂在载气存在的条件下以气相脉冲形式通入；

所述载气的流量为10～200sccm。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体衬底包括硅、氧化硅、氮化硅、TaN和蓝宝石中的一种或几种。