1.一种氟离子荧光传感器,其特征在于:所述氟离子荧光传感器具有如下结构:
2.根据权利要求1所述的氟离子荧光传感器,其特征在于:含有三异丙基硅基作为触发基团。
3.根据权利要求1所述的氟离子荧光传感器,其特征在于:含有四苯乙烯结构作为荧光信号基团。
4.根据权利要求1所述氟离子荧光传感器的合成方法,合成路线如下:第一步:4-溴二苯甲酮与4-甲氧基二苯甲酮在四氯化钛作用下发生McMurry反应,生成具有AIE特性的化合物2;
第二步:化合物2与4-吡啶硼酸在[1,1'-双(二苯基磷)二茂铁]二氯化钯(Pd(dppf)Cl2)的催化下发生Suzuki偶联反应,生成化合物3;
第三步:对羟基苯甲醛与三异丙基氯硅烷在DBU的作用下室温下反应生成化合物5;
第四步:化合物5和还原剂硼氢化钠反应后,被还原为化合物6;
第五步:化合物6与三溴化磷反应后生成化合物7;
第六步:化合物7与化合物3在甲苯中回流得到目标化合物1,利用柱层析法进行分离后,结构经1HNMR,13CNMR,HR-MS鉴定。
5.根据权利要求1所述氟离子荧光传感器在氟离子荧光检测中的应用,其特征在于:可选择性检测氟离子。
6.根据权利要求1所述氟离子荧光传感器在氟离子荧光检测中的应用,其特征在于:可同时用于细胞内氟离子的检测。