1.一种远距离式荧光粉层的晶圆级LED的制备方法，包括以下步骤：

S1，提供一LED预制件，包括基板、安装在所述基板上的LED芯片；

S2，在所述基板上形成限位槽，所述限位槽环绕所述LED芯片，且所述限位槽的深度沿远离所述LED芯片的方向逐步加深且所述限位槽有靠近所述LED芯片的侧面与远离所述LED芯片的侧面直接相接形成；定义所述限位槽远离所述LED芯片的侧面距离所述LED芯片中心点的距离为D，定义所述LED芯片的半宽为d，其中， 定义所述限位槽的最大深度h，其中，0.1d≤h≤0.2d；

S3，在所述LED芯片上方进行第一次点胶，使所述第一次点胶覆盖所述LED芯片并延伸到所述限位槽的槽内部，然后将其冷却到室温使其固化形成封装透镜层；以及S4，在所述封装透镜层上方进行第二次点胶，使所述第二次点胶覆盖所述封装透镜层并延伸到同一所述限位槽的槽内部，然后将其冷却到室温使其固化形成荧光粉层，其中，所述荧光粉层包括基体以及分散于所述基体中的荧光粉，所述封装透镜层的高与宽比值为

0.5～0.8。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述封装透镜层包括基体以及分散于所述基体中的扩散颗粒。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在步骤S3和S4之间进一步包括：S31，对所述封装透镜层的表面进行雾化处理。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述限位槽靠近所述LED芯片的侧面为圆弧面或平面。

5.一种远距离式荧光粉层的晶圆级LED，其特征在于，包括：基板、安装在所述基板上的LED芯片、封装透镜层以及荧光粉层；所述基板上形成有限位槽，所述限位槽环绕所述LED芯片设置，且所述限位槽的深度沿远离所述LED芯片的方向逐步加深且所述限位槽有靠近所述LED芯片的侧面与远离所述LED芯片的侧面直接相接形成；所述封装透镜层覆盖所述LED芯片并延伸到所述限位槽的槽内部；所述荧光粉层均匀覆盖所述封装透镜层并延伸到同一所述限位槽的槽内部；定义所述限位槽远离所述LED芯片的侧面距离所述LED芯片中心点的距离为D，定义所述LED芯片的半宽为d，其中，定义所述限位槽的最大深度h，其中，0.1d≤h≤0.2d，所述封装

透镜层的高与宽比值为0.5～0.8。

6.根据权利要求5所述的远距离式荧光粉层的晶圆级LED，其特征在于，所述封装透镜层靠近所述荧光粉层的表面具有均匀分布的凸起结构。

7.根据权利要求5所述的远距离式荧光粉层的晶圆级LED，其特征在于，所述荧光粉层包括基体以及分散于所述基体中的荧光粉。

8.根据权利要求5所述的远距离式荧光粉层的晶圆级LED，其特征在于，所述封装透镜层包括基体以及分散于所述基体中的扩散颗粒。