1.晶体硅太阳能电池点接触背电极结构的制备方法，其特征在于包括以下步骤：(1)在清洗后的电池硅片上印刷具有点或线图案的铝浆形成局部接触的第一层铝电极，然后烘干或者高温烧结；

(2)在电池硅片上印刷有步骤(1)所述的第一层铝电极的一面制备钝化层；

(3)在步骤(2)所述钝化层上整面印刷用于电流导出的第二层铝电极并烘干；

(4)将步骤(3)得到的电池硅片进行高温烧结，制得局域化背电场，点接触电极及电能收集用导通电极。

2.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池点接触背电极结构的制备方法，其特征在于：所述步骤(1)和所述步骤(3)中使用的铝电极浆料为不同配方的铝电极浆料，所述步骤(1)中的使用的铝电极浆料由太阳能电池铝电极浆料、硅烷偶联剂及银电极用玻璃粉混合而成，所述步骤(3)中使用的铝电极浆料为太阳能电池铝电极浆料。

3.根据权利要求2所述的晶体硅太阳能电池点接触背电极结构的制备方法，其特征在于：步骤(1)中硅烷偶联剂占太阳能电池铝电极浆料的质量百分比为0.2～1％，银电极用玻璃粉占太阳能电池铝电极浆料的质量百分比为0.5～1％。

4.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池点接触背电极结构的制备方法，其特征在于：所述步骤(2)中的钝化层为氧化钛、氧化硅、氧化铝或氮化硅薄膜，薄膜的厚度为10～

40nm。

5.根据权利要求4所述的晶体硅太阳能电池点接触背电极结构的制备方法，其特征在于：所述的薄膜采用热丝CVD、溶胶-凝胶法、液相沉积法或喷涂法制得。