1.一种氧化镓晶片去应力退火方法，其特征在于，包括以下步骤：a、将氧化镓晶片装载到辅助陶瓷工装架（1）上，再把辅助陶瓷工装架（1）置于退火用晶钵（2）内，向晶钵内加入氧化镓晶体粉末（3），直至填满晶片和辅助陶瓷工装架（1）与退火用晶钵（2）之间的间隙，并覆盖所有需经退火处理的晶片；

b、将退火炉（4）关起，缓慢通入保护气体氮气，气流速度控制在不要将退火用晶钵（2）内氧化镓晶体粉末（3）吹起即可；

c、将退火炉(4) 升温至低温区域200～300℃，并保温3～5h，升温时间不得低于

1.5h，且升温过程持续均匀；

d、将退火炉（4）内温度继续提升至中温区域600～800℃，并保温6～10h，该阶段升温时间3～9h，且升温过程要求持续均匀；

e、将退火炉内（4）内温度继续提升至高温区域1000～1200℃，保温10～20h，升温时间不得低于10h，且升温过程要求持续均匀；

f、高温区域保温结束后，将退火炉内（4）以每小时10～20℃降温至室温，关闭氮气，出炉，取出去应力退火处理过的氧化镓晶片。

2.根据权利要求1所述的一种氧化镓晶片去应力退火方法，其特征在于，步骤a中当氧化镓晶片体积较小且量少时，可在晶钵（2）加入一定量的氧化镓晶体粉末，然后将氧化镓晶片均匀插入到氧化镓晶体粉末粉末中，最后再加入氧化镓晶体粉末覆盖氧化镓晶片。

3.根据权利要求1所述的一种氧化镓晶片去应力退火方法，其特征在于，步骤c中以

2℃/min的速度升温至低温区域300℃。

4.根据权利要求3所述的一种氧化镓晶片去应力退火方法，其特征在于，步骤d中退火炉（4）内温度以2℃/min的速度从300℃升至800℃。

5.根据权利要求4所述的一种氧化镓晶片去应力退火方法，其特征在于，步骤e中退火炉（4）内温度以0.5℃/min的速度从800℃升至1200℃。

6.根据权利要求5所述的一种氧化镓晶片去应力退火方法，其特征在于，步骤e中退火炉（4）内温度以1200℃恒温保持16h。

7.根据权利要求6所述的一种氧化镓晶片去应力退火方法，其特征在于，步骤f中退火炉（4）以20℃/h的速度降温至室温。