1.一种新型量子点发光器件，包括ITO阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和Al阴极，其特征在于，还包括绝缘层，所述绝缘层设置在空穴传输层和量子点发光层之间；

绝缘层材料的禁带宽度不小于4 eV；

绝缘层材料为聚甲基丙烯酸甲酯、氧化铝、氧化钙和氧化镓中的一种或两种以上的混合物。

2.如权利要求1所述的新型量子点器件结构，其特征在于，经以下步骤获得：在ITO阳极上以2000－6000转/min的转速依次旋涂或以0.1－5nm/s的蒸发速率真空沉积空穴注入层、空穴传输层、绝缘层、量子点发光层和电子传输层，然后采用真空沉积的方法制备Al阴极，即得。

3.如权利要求1所述的新型量子点发光器件，其特征在于，空穴注入层材料为PEDOT:

PSS、或者是二甲基亚砜、石墨烯或山梨醇掺杂的PEDOT:PSS；空穴传输层材料为聚(N,N'-双(4-丁基苯基)-N,N'-双(苯基)联苯胺)、聚[(9,9-二辛基芴-2,7-二基)-co-(4,4'-(N-(4-仲丁基苯基)二苯胺]、聚(9-乙烯基咔唑)、三(4-咔唑-9-基苯基)胺、4,4'-二(9-咔唑)联苯、N,N'-双-(1-奈基)-N,N’-二苯基-1,1’-联苯-4,4’-二胺或间苯二咔唑。

4.如权利要求1所述的新型量子点发光器件，其特征在于，空穴传输层材料为MoO3、NiO、V2O5和WO3中的一种或两种以上的混合物；电子传输层材料为8-羟基喹啉铝、ZnO、SnO、TiO2或ZrO2。

5.如权利要求1所述的新型量子点发光器件，其特征在于，电子传输层材料为Li、Al、Mg、Cs、In、Ga和Zr中的一种或两种以上掺杂的无机金属氧化物，所述无机金属氧化物为ZnO、SnO、TiO2或ZrO2。