1.一种H桥串联型STATCOM的功率单元交流侧供电系统，其特征在于，包括分别连接在三相线的每一线上的Link模块串(8)，每个Link模块串(8)均包括依次连接的Link模块(1)和电感(Ls)，3个所述电感(Ls)与Link模块(1)非连接的一端均连接在一起；所述Link模块(1)的具体结构为：包括CMC模块(2)，所述CMC模块(2)由若干依次连接的HB模块(7)组成，每个HB模块(7)对应连接一个交流侧取能电源模块(3)，每个交流侧取能电源模块(3)还与HB模块(7)旁的风扇(9)连接，所述HB模块(7)内部是由相同的4个IGBT管A、IGBT管B、IGBT管C、IGBT管D连接组成，IGBT管A和IGBT管C的共集电极，IGBT管B和IGBT管D共发射极，所述IGBT管A的集电极和IGBT管B的发射极之间连接有直流侧电容(C)，IGBT管A的发射极和IGBT管B的集电极连接，IGBT管C的发射极和IGBT管D的集电极连接后同时连接至下一级HB模块(7)的IGBT管A的发射极和IGBT管B的集电极之间，IGBT管A的发射极和IGBT管B的集电极连接线上设有结点E，IGBT管C的发射极和IGBT管D的集电极连接线上设有结点F；所述交流侧取能电源模块(3)的具体结构为：包括三级依次连接的二极管整流桥AC/DC开关电源(4)，每级二极管整流桥AC/DC开关电源(4)的正负输入端之间均连接有变压器(T)，每级二极管整流桥AC/DC开关电源(4)的正输出端均连接至结点B，每级二极管整流桥AC/DC开关电源(4)的负输出端均连接至结点C，结点B和结点C连接至微直流母线(5)上，结点B和结点C之间的微直流母线(5)上还连接有电容(C2)，电容(C2)的两端连接至DC/DC开关电源(6)，所述每个交流侧取能电源模块(3)内的第二级二极管整流桥AC/DC开关电源(4)的输入端连接的变压器(T)与所在的交流侧取能电源模块(3)对应连接的HB模块(7)的结点E、结点F连接，同时，每个交流侧取能电源模块(3)内的第二级二极管整流桥AC/DC开关电源(4)输入端连接的变压器(T)还与下一级交流侧取能电源模块(3)内的第一级二极管整流桥AC/DC开关电源(4)输入端连接的变压器(T)连接，每个交流侧取能电源模块(3)内的第三级二极管整流桥AC/DC开关电源(4)输入端连接的变压器(T)还与下一级交流侧取能电源模块(3)对应连接的HB模块(7)的结点E、结点F连接。

2.根据权利要求1所述的一种H桥串联型STATCOM的功率单元交流侧供电系统，其特征在于，所述HB模块(7)的数量N、直流侧电容(C)的容值C的具体计算步骤如下：步骤1、首先根据H桥串联型STATCOM的功率单元交流侧供电系统的系统线电压Uab和负载最大无功功率QLmax，确定H桥串联型STATCOM的功率单元交流侧供电系统的额定电流IS，额定电流IS的选取依照公式为：步骤2、根据所述步骤1得到的额定电流IS，然后确定H桥串联型STATCOM的功率单元交流侧供电系统中连接的电感(LS)的电感值LS，具体公式如下：式(2)中，f为电网频率，f＝50Hz，

同时根据本系统中的确定的额定电流IS的值选取IGBT管的型号及IGBT管并联的数量，在本系统中，单个H桥模块中IGBT的数量nIGBT＝2，IGBT管型号满足以下条件：IGBT管的电流IIGBT大于额定电流IS，IGBT管的电压VIGBT取值为1200V、1700V、3300V，表达式为：nIGBTIIGBT＞Is             (3)

VIGBT∈{1200，1700，3300}          (4)

步骤3、根据所述步骤2确定的IGBT管的型号，确定HB模块(7)的数量N、直流侧电容(C)的容值C，具体公式如下：

3.根据权利要求2所述的一种H桥串联型STATCOM的功率单元交流侧供电系统，其特征在于，所述交流侧取能电源模块(3)的设计功率PK计算步骤如下：步骤a、根据所述步骤2中确定的IGBT管型号，确定IGBT管的参数：IGBT的开通损耗Eon，IGBT的关断损耗Eoff，二极管的开通损耗Ed，IGBT的实际工作电压Vce，管子的开关频率fsw，IGBT的额定电流Inom，IGBT流入额定电流时的通态电压Vf和工作状态d，然后依据确定的IGBT管的参数和工作状态d计算IGBT管总损耗PIGBT和HB模块(7)的总损耗PH，具体如下：IGBT管的开关损耗为：

Psw＝fsw×(Eon+Eoff)×Is/Inom          (7)

IGBT管的导通损耗为：

PconG＝Vce×Is×d                      (8)

IGBT管内部反并联二极管的开关损耗为：

Pd＝fsw×Ed×Is/Inom                  (9)

IGBT管内部反并联二极管的导通损耗为：

Pcond＝Vf×Is×(1-d)                  (10)

IGBT管的总损耗PIGBT为：

PIGBT＝Psw+PconG+Pd+Pcond           (11)

HB模块(7)的混合损耗为：

Ph＝2×nIGBT×(Psw+Pd)             (12)

HB模块(7)的总损耗为：

PH＝2×nIGBT×PIGBT               (13)

步骤b、根据HB模块(7)的总损耗PH和所述风扇(9)的能效比 计算HB模块(7)旁的风扇(9)的实际功耗PF，具体如下：步骤c、根据HB模块(7)的总损耗PH和风扇(9)的实际功耗PF，以及系统中其它损耗Pother，计算交流侧取能电源模块的设计功率PK，具体如下：PK＝PF+Pother                (15)

步骤d、根据交流侧取能电源模块(3)的设计功率PK和HB模块(7)的混合损耗Ph，判断交流侧取能电源模块(3)的电压调整能力是否满足要求，具体如下：如果PK>＝Ph,则说明交流侧取能电源模块(3)满足电压调整的要求，PK保持不变；

如果PK

4.根据权利要求3所述的一种H桥串联型STATCOM的功率单元交流侧供电系统，其特征在于，所述步骤a中IGBT管的工作状态d＝0.8。

5.根据权利要求3所述的一种H桥串联型STATCOM的功率单元交流侧供电系统，其特征在于，所述步骤b中风扇(9)的能效比

6.根据权利要求3所述的一种H桥串联型STATCOM的功率单元交流侧供电系统，其特征在于，所述步骤c中系统的其它损耗Pother＝20W～100W。

7.根据权利要求3所述的一种H桥串联型STATCOM的功率单元交流侧供电系统，其特征在于，所述二极管整流桥AC/DC开关电源(4)的具体结构为：包括依次同向连接的二极管D1、二极管D2，所述二极管D1、二极管D2的连接结点与所述变压器(T)的正输出端连接，所述变压器(T)的负输出端与通向连接的二极管D3、二极管D4的连接结点连接，所述二极管D1、二极管D3的正向输出端连接后连接至结点A，所述二极管D2、二极管D4的正向输入端连接后连接至结点D，所述结点A和结点D之间连接有电容(C3)，电容(C3)的正电压端与所述结点B连接，电容(C3)的负电压端与所述结点C连接，

8.根据权利要求7所述的一种H桥串联型STATCOM的功率单元交流侧供电系统，其特征在于，所述交流侧取能电源模块(3)的内部参数具体如下：二极管整流桥AC/DC开关电源(4)输入端连接的变压器(T)的输出电压峰值U1dc＝200V、功率P1dc＝PK、变压器变比二极管整流桥的电压UD＝250V、电流 中间直流母线电容(C2)的电压UC2＝U1dc、容量CC2＝1100uF，DC/DC开关电源(6)输入端连接的变压器T的输出电压U2dc＝15V、功率P2dc＝PK、变压器变比