1.一种提高硼掺杂纳米金刚石薄膜p 型导电性能的方法，其特征在于所述方法包括以下步骤：(1) 采用热丝化学气相沉积方法，在单晶硅衬底上制备硼掺杂纳米金刚石薄膜；(2) 将步骤(1) 得到的硼掺杂纳米金刚石薄膜在500-700℃温度下的空气中保温5-50分钟，即制得p 型导电性能提高的硼掺杂纳米金刚石薄膜。2.如权利要求1 所述的方法，其特征在于所述步骤(1) 按以下步骤进行：对单晶硅片采用金刚石研磨膏打磨半小时，打磨后的单晶硅片依次用去离子水和丙酮超声波清洗、干燥后作为纳米金刚石薄膜生长的衬底，将单晶硅衬底放入化学气相沉积设备，以丙酮为碳源，硼酸二甲酯为硼源，硼在碳源中的质量浓度范围为1000-4000ppm，采用氢气鼓泡方式将溶有硼酸二甲酯的丙酮带入到反应室中，反应温度600 ～700℃，反应时间5 ～6 小时，在单晶硅衬底上制备得到厚度为1 ～10μm 的硼掺杂纳米金刚石薄膜。3.如权利要求1 所述的方法，其特征在于所述步骤(2) 中，硼掺杂纳米金刚石薄膜在500-600℃温度下的空气中保温15-45 分钟，制得p 型导电性能提高的硼掺杂纳米金刚石薄膜。