1.一种耐水解Si-C-Si型阳离子有机硅表面活性剂的制备方法，其特征在于所述的Si-C-Si型阳离子有机硅表面活性剂的结构式为：-------------------------

R1

R2为CH3或R1

R3

制备步骤如下：

步骤1：格式反应

N2保护下，先将氯甲基硅烷制备成格式试剂；之后在N2保护下，将氯丙基烷氧基硅烷或氯丙基氯硅烷加入装有无水四氢呋喃或无水乙醚的四口烧瓶中，滴加氯甲基硅烷格式试剂，合成氯丙基硅碳烷；

步骤2：季铵化反应

将步骤1的产物氯丙基硅碳烷装入三口瓶中，加入叔胺、溶剂，在N2保护下，于70～85℃下反应15～36小时后体系降至室温；用正己烷萃取分离，之后除去正己烷后得到的固体于

0.1MPa、40℃干燥1天，冷却后得Si-C-Si型阳离子有机硅表面活性剂。

2.根据权利要求1所述的一种耐水解Si-C-Si型阳离子有机硅表面活性剂的制备方法，其特征在于所述的氯甲基硅烷是氯甲基苯基二甲基硅烷、氯甲基丙基二甲基硅烷、氯甲基乙基二甲基硅烷、氯甲基乙烯基二甲基硅烷或氯甲基丁基二甲基硅烷。

3.根据权利要求1所述的一种耐水解Si-C-Si型阳离子有机硅表面活性剂的制备方法，其特征在于所述的叔胺是N-甲基咪唑、N-甲基吡咯烷、吡啶、三甲胺或N,N-二甲基乙醇胺。

4.根据权利要求1所述的一种耐水解Si-C-Si型阳离子有机硅表面活性剂的制备方法，其特征在于所述的氯丙基烷氧基硅烷是氯丙基二甲氧基甲基硅烷、氯丙基二乙氧基甲基硅烷、氯丙基三甲氧基硅烷或氯丙基三乙氧基硅烷。

5.根据权利要求1所述的一种耐水解Si-C-Si型阳离子有机硅表面活性剂的制备方法，其特征在于所述的氯丙基氯硅烷是氯丙基二氯甲基硅烷或氯丙基三氯硅烷。

6.根据权利要求1所述的一种耐水解Si-C-Si型阳离子有机硅表面活性剂的制备方法，其特征在于所述的氯丙基硅碳烷与叔胺摩尔比为1：2～4。

7.根据权利要求1所述的一种耐水解Si-C-Si型阳离子有机硅表面活性剂的制备方法，其特征在于所述溶剂是异丙醇、丁醇、乙腈或二甲基甲酰胺。