1.一种用于PoP芯片加速寿命预测的试验方法，其特征是包括以下步骤：

1）搭建试验平台，试验平台包括一个高低温实验箱，高低温实验箱里面放置振动实验台以及由PCB板和PoP芯片组成的PoP组件，振动控制仪连接并控制振动试验台；在PoP组件顶层芯片两条边各贴一个顶层应变片，在PoP组件底层芯片下方的PCB背面两条边各贴一个底层应变片；两个顶层应变片与第一个电桥盒内的两个电阻R按照惠斯通电桥半桥连接；两个底层应变片与第二个电桥盒内的两个电阻R按照惠斯通电桥半桥连接，两个惠斯通电桥半桥分别接入应变放大器，应变放大器经动态信号分析仪连接电脑；

2）先开启高低温实验箱对PoP芯片进行高低温循环加载，高低温循环加载后再开启振动控制仪进行振动加载，高低温循环加载和振动加载每隔T分钟交替进行；动态信号测试仪每隔t分钟记录两个电桥盒分别经过应变放大器后输出的两组电压值，将其中电压值较大的一组作为第一组实验数据 ；

3）先开启振动控制仪对PoP芯片6进行振动加载，振动加载结束后再开启高低温实验箱进行高低温循环加载，振动加载和高低温度循环加载每隔T分钟交替进行；动态信号测试仪每隔t分钟记录两个电桥盒分别经过应变放大器后输出的两组电压值，将其中电压值较大的一组作为第二组实验数据 ；

4）先开启高低温实验箱对PoP芯片持续进行高低温循环加载，高低温加载后第T分钟时再开启振动控制仪进行T分钟的振动加载，然后停止振动加载T分钟，再加载T分钟的振动载荷，如此依次间歇性地进行振动加载；动态信号测试仪每隔t分钟记录两个电桥盒分别经过应变放大器后输出的两组电压值，将其中电压值较大的一组作为第三组实验数据；

5）同时开启高低温实验箱和振动控制仪对PoP芯片6进行高低温循环和振动共同加载，共同加载T分钟后停止高低温循环加载，停止T分钟后再进行T分钟的高低温循环加载，如此依次间歇性地进行高低温循环加载；动态信号测试仪每隔t分钟记录两个电桥盒分别经过应变放大器后输出的两组电压值，将其中电压值较大的一组作为第四组实验数据；

6）电脑根据四组实验数据 分别计算得到应变

；再将应变 经雨流计数法计算出

应变幅 ；然后根据公式

分别计算出对应于 的寿命

；最后根据公式 计算出PoP芯片的预测寿命 ；Ai是PoP组件的焊点开

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裂面积；AD=6.1×10mm。

2.根据权利要求1所述的用于PoP芯片加速寿命预测的试验方法，其特征是：步骤2）、

3）、4）、5）中，T为280分钟；t为3分钟；高低温循环加载时温度加载参数是：高温为100℃，低温为0℃，升降温时间均为20分钟，在0℃和100℃时保温时间均为15分钟；振动控制仪

1的振动加载参数是：正弦振动的加速度量级为10G, 振动频率为一阶固有频率f；加载的总时间为14小时。

3.根据权利要求2所述的用于PoP芯片加速寿命预测的试验方法，其特征是：通过振动控制仪1进行50-500Hz的正弦扫频测试，PoP组件出现共振现象时的频率为一阶固有频率f。

4.根据权利要求1所述的用于PoP芯片加速寿命预测的试验方法，其特征是：步骤6）中，根据关系式 分别计算得到应变 ；

是实验数据， 分别等于 ； 为应变放大器的放大倍

数；k 为应变片灵敏度； 为应变， 对应于 分别等于 ；

是惠斯通电桥的桥压。

5.根据权利要求4所述的用于PoP芯片加速寿命预测的试验方法，其特征是：惠斯通电桥的桥压 =2v，放大倍数 =2000，应变片灵敏度k=2。