1.一种聚合物高分子材料等离子体表面改性工艺，其特征在于包括以下工序：（1）将聚合物高分子材料产品洗净，送入配备了镀膜部件及离子源的八角形真空室内，抽真空，并预加热到100-200度，待真空度到达7*10e-3的时候，通入激发气体0.1-2Pa之间，开离子源对聚合物高分子材料产品表面进行活化及改性处理，处理时间5-10分钟；

（2）将离子源关闭，将工作气体氩气压强调整为0.1-1Pa之间，开启镀膜部件，所述的镀膜部件为装备了金属靶材的磁控溅射阴极或者精细离子镀弧源，在聚合物高分子材料产品的表面沉积导电膜层，镀膜时间为5-30分钟，镀膜结束后，开启脉冲叠加直流偏压

10-20kV，占空比10%-90%；

（3）停止镀膜，通入工作气体激发气体，调节压强在0.1-2Pa之间，开启离子源激发过程，及等离子体加速过程，聚合物高分子材料产品接通脉冲叠加直流偏压10-20kV，占空比

10%-90%，对等离子体进行能量调制；

（4）等离子处理半个小时后，重复过程（2）和（3）至少1次，等离子体处理结束后，降温到50度时候，关闭真空阀门，通入空气，打开真空室门，取出处理后的聚合物高分子材料产品。

2.根据权利要求1所述的一种聚合物高分子材料等离子体表面改性工艺，其特征在于：所述的导电膜层为Cr、Al、Ti、Cu或不锈钢，或者是成分可调的Ti、Al、Zr、Cu、Cr、Mo、W的金属氮化物、氮化物或碳氮化物；或者是碳膜涂层。

3.根据权利要求1所述的一种聚合物高分子材料等离子体表面改性工艺，其特征在于：所述的离子源为阳极层离子源、霍尔离子源、潘宁离子源、空心阴极离子源和考夫曼离

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子源一种或多种组合，所述的激发气体为Ar、N、CO、NH3、O、H一种或多种气体组合。