1.一种忆容器的实现电路，其特征在于，包括：第一运算放大器、第二运算放大器、第一电容、第二电容、第三电容、电阻、反馈电阻、电流反馈运算放大器以及第一乘法器；所述第一运算放大器的正相输入端与所述第一乘法器的第一输入端以及所述电流反馈运算放大器的TZ端相连，所述第二运算放大器的输出端与所述第一乘法器的第二输入端相连，所述第一电容的一端与所述第二运算放大器的输出端相连；所述第二运算放大器的反相输入端与所述第一电容的另一端以及所述电阻的一端相连，所述反馈电阻与所述第一电容并联，所述第一运算放大器的输出端与所述电阻的另一端以及所述第一运算放大器的反相输入端相连，所述电流反馈运算放大器的反相输入端与所述第二电容的一端相连，所述第二电容的另一端与所述第一乘法器的输出端相连，所述第三电容的一端与所述第一乘法器的输出端相连，其中，将第一运算放大器的正相输入端和第三电容的接地一端引出作为忆容器电路的输入端口。

2.根据权利要求1所述的实现电路，其特征在于，所述电流反馈运算放大器的型号为AD844，所述第二电容与所述第三电容的电容值相等。

3.一种采用权利要求1所述忆容器的实现电路的二阶忆容器的实现电路，其特征在于，在所述第一乘法器之后添加第二乘法器，所述第一乘法器的两个输入端与所述第二运算放大器的输出端相连，所述第二乘法器的一个输入端与所述第一乘法器的输出端相连，所述第二乘法器的另一个输入端与所述第一运算放大器的正相输入端相连，所述第二乘法器的输出端与所述第二电容和所述第三电容的一端相连。

4.一种采用权利要求3所述二阶忆容器的实现电路的任意阶次忆容器电路的实现方法，其特征在于，包括在所述第二乘法器后继续增加到N个乘法器以对应成为N阶忆容器电路。