1.一种含N脒基硅化合物，其特征在于，其结构式为：

2.一种制备如权利要求1所述含N脒基硅化合物的方法，其特征是，包括以下步骤：(1)将 溶解在反应溶剂中， 与反应溶剂的质量

比为1:10～1:20，在-78～0℃保持搅拌的条件下加入苯基锂溶液， 与苯基锂的摩尔比为1:1～1.2，苯基锂溶液的浓度为1.0～2.5M，搅拌速度为800～2000转/分钟；恢复到室温后继续搅拌反应0.5～3小时，得到反应混合物，所述反应溶剂为正己烷、甲苯、二氯甲烷、四氢呋喃或乙醚；

(2)将步骤(1)得到的反应混合物过滤，收集滤饼，得到锂盐固体，将锂盐固体与有机溶剂混合，锂盐固体与有机溶剂的质量比为1:10～20，得到锂盐溶液，所述反应溶剂为正己烷、甲苯、二氯甲烷、四氢呋喃或乙醚；

(3)在-78～0℃按照锂盐与(CH3)3SiI摩尔比1～4:1，向上述锂盐溶液中滴加含(CH3)

3SiI的溶液，缓慢升至一定温度，所述温度为室温至所用溶剂的回流温度，在此温度下继续搅拌反应3～10小时；

(4)将步骤(3)得到的反应混合物进行过滤，滤液真空浓缩后低温结晶或者减压蒸馏得到所述的含N脒基硅化合物；

(5)或者在步骤(3)搅拌3～10小时后，在-78～0℃下，加入1～10摩尔当量的有机胺，缓慢升至一定温度，所述温度为室温至所用溶剂的回流温度，在此温度下再继续搅拌反应3～

10小时，滤液真空浓缩后低温结晶或者减压蒸馏得到所述的含N脒基硅化合物。

3.如权利要求2所述的制备方法，其特征是：所述步骤(3)及(5)中，升温速度为0.5～1℃/分钟。

4.如权利要求2所述的制备方法，其特征是：所述步骤(4)或(5)得到的反应混合物进行过滤，将滤液浓缩后，再进行低温结晶，或者减压蒸馏得到所述的含N脒基硅化合物；所述滤液浓缩的条件为：在20～50℃减压浓缩，浓缩或减压蒸馏压力为-0.1～-0.01MPa。

5.如权利要求1所述含N脒基硅化合物用作集成电路薄膜材料前质体的应用，其特征是：通过化学气相沉积或原子层沉积工艺，制备含硅薄膜。

6.如权利要求5所述的应用，其特征是：所述薄膜是采用如权利要求1所述的前质体与氨、一氧化二氮、一氧化氮、氧、臭氧、水蒸气中的一种或几种反应制得。

7.如权利要求5所述的应用，其特征是：所述薄膜包括氮化硅、含碳氮化硅、氧氮化硅、碳化硅、氧化硅、碳掺杂的氧化硅和碳掺杂的氧氮化硅薄膜。