1.一种金属-绝缘体层-半导体太阳能电池，所述太阳能电池从顶层至底层依次为：Ag网格栅线、减反射层、金属薄膜、Ga2O3绝缘层、p型硅片、Al背面场；在金属薄膜上设有减反射层，减反射层为Ga2O3，厚度为60-150nm，其特征在于：Ga2O3绝缘层薄膜和Ga2O3减反射层薄膜采用ALD或等离子体化学气相沉积技术制备；其中，采用ALD技术制备Ga2O3时，以三甲基镓为镓源，以水为氧源，控制生长温度为100～200℃，脉冲循环为1～1000；其中，采用等离子体化学气相沉积技术，以三甲基镓等为镓源，以氮气携带去离子水为氧源，控制生长温度为

100～300℃，压强为5～10Pa，射频功率为100W。

2.如权利要求1所述的一种金属-绝缘体层-半导体太阳能电池，其特征在于：所述Ga2O3绝缘层的厚度为1-20nm。

3.如权利要求1所述的一种金属-绝缘体层-半导体太阳能电池，其特征在于：所述金属薄膜，厚度为5-15nm。

4.如权利要求1所述的一种金属-绝缘体层-半导体太阳能电池，其特征在于：所述p型硅片厚度为200μm-650μm。

5.如权利要求1所述的一种金属-绝缘体层-半导体太阳能电池，其特征在于：在p型硅片背面设有Al背面场，Al背面场厚度为100-500nm。

6.如权利要求1所述的一种金属-绝缘体层-半导体太阳能电池，其特征在于：在减反射层内设有Ag网格栅线。