1.一种图形化薄膜驻极体的制备方法，其特征在于包括下述步骤：（1）在驻极体基材的一面蒸镀第一金属电极；

（2）在驻极体基材的另一面蒸镀第二金属电极；所述第二金属电极由若干个金属膜间隔设置而成，相邻的两个金属膜间距1mm以上；

（3）施加交流高压电场进行电晕极化，电场强度为20～40KV/cm，交流电的频率为30～

1000HZ，极化温度为20～200℃，极化时间为5～60min；

（4）在维持电压不变的情况下降至室温，撤去电场，即得到图形化薄膜驻极体。

2.根据权利要求1所述的图形化薄膜驻极体的制备方法，其特征在于：所述第二金属电极中，金属膜呈等间距阵列式分布。

3.根据权利要求1所述的图形化薄膜驻极体的制备方法，其特征在于：所述第二金属电极中，各金属膜为同心设置的环，相邻的两个环半径之差大于1mm。

4.根据权利要求1所述的图形化薄膜驻极体的制备方法，其特征在于：相邻的两个金属膜间距为毫米量级。

5.根据权利要求1所述的图形化薄膜驻极体的制备方法，其特征在于：所述第二金属电极厚度为100nm。

6.根据权利要求3所述的图形化薄膜驻极体的制备方法，其特征在于：两个相邻金属膜之间的间距为2mm或3mm。

7.根据权利要求1所述的图形化薄膜驻极体的制备方法，其特征在于：所述驻极体基材采用聚四氟乙烯或聚全氟乙丙烯。

8.根据权利要求1所述的图形化薄膜驻极体的制备方法，其特征在于：所述第一金属电极厚度与第二金属电极厚度相同。

9.根据权利要求1所述的图形化薄膜驻极体的制备方法，其特征在于包括下述步骤：（1）在聚全氟乙丙烯薄膜样品的下表面蒸镀厚度为100nm的铝电极；

（2）在聚全氟乙丙烯薄膜样品的上表面蒸镀厚度为100nm的栅型铝电极；所述栅型铝电极由若干个铝片间隔设置而成，所述铝片在聚全氟乙丙烯薄膜上呈等间距阵列式分布，相邻的两个铝片间距为2mm；

（3）施加交流高压电场，电场强度为20KV/cm，交流电的频率500HZ；

（4）在维持电压不变的情况下，升高温度至150℃，并在该温度下极化5min；

（5）在维持电压不变的情况下降至室温，撤去电场。