1.用分子束外延(MBE)在GaSb衬底上无催化制备GaSb纳米线的方法，其包括以下步骤：

1)首先将GaSb衬底放置在钼托上，装在小车上送进MBE的Load-lock真空室中进行热处理，关闭真空室的门后抽真空至3.0×10-6Torr，对Load-lock真空室进行加热，加热温度为

200℃，加热时间为2个小时；

2)将放置GaSb衬底的小车送入MBE的Buffer真空室中进行热处理，Buffer真空室加热温度为350℃，处理时间为1个小时；

3)将GaSb衬底的导入MBE的生长室中进行去氧化层处理；

4)开启高能反射电子衍射仪(RHEED)对衬底表面进行原位监控；

5)打开Sb源挡板，对衬底进行保护；

6)将GaSb衬底温度加至580℃，RHEED图像出现衍射点，表明氧化层开始去除；

7)将GaSb衬底温度加至620℃，保持10分钟，RHEED图像开始出现再构条纹，表明此时衬底表面氧化层已去除完全；打开Ga源挡板，生长GaSb缓冲层；

8)关闭Sb源挡板，3～5秒，RHEED图像由条形变为点状；

9)打开Ga源和Sb源挡板，进行生长；

10)生长10分钟后，RHEED图像由竖条变为横条，表明为纳米线一维生长；

11)再生长100分钟；

12)关闭Ga源，降低衬底温度；

13)当衬底温度低于400℃，关闭Sb源；

14)降低衬底温度至室温，完成生长，取出样品。