1.用分子束外延（MBE）在GaSb衬底上无催化制备GaSb纳米线的方法，是将GaSb衬底依次通过Load-lock和Buffer真空室中进行热处理去除表面吸附物；将热处理的衬底送入生长室，在Sb保护下加热衬底去除氧化层，并生长GaSb生长缓冲层，之后在RHEED监控下关闭Sb保护至衬底形成局部生长界面，打开Ga、Sb源生长GaSb纳米线。

2.根据专利要求1所述的用分子束外延（MBE）在GaSb衬底上无催化制备GaSb纳米线的方法，其特征在于，GaSb衬底放置Load-lock真空室进行热处理，加热温度为200℃后，真-6空抽至3.0×10 Torr，加热2个小时。

3.根据专利要求1所述的用分子束外延（MBE）在GaSb衬底上无催化制备GaSb纳米线的方法，其特征在于，Buffer真空室加热温度为350℃，处理时间为1个小时。

4.根据专利要求1所述的用分子束外延（MBE）在GaSb衬底上无催化制备GaSb纳米线的方法，其特征在于，生长室内GaSb衬底去除氧化层温度620℃。

5.根据专利要求1所述的用分子束外延（MBE）在GaSb衬底上无催化制备GaSb纳米线的方法，其特征在于，将GaSb的衬底温度维持在620℃，保持10分钟，保证氧化层的完全去除。

6.根据专利要求5所述的用分子束外延（MBE）在GaSb衬底上无催化制备GaSb纳米线的方法，其特征在于，去除加热去除氧化层过程需要Sb源保护。

7.根据专利要求5所述的用分子束外延（MBE）在GaSb衬底上无催化制备GaSb纳米线的方法，其特征在于，去除加热去除氧化层过程开启RHEED对衬底表面结构状态进行监控。

8.根据专利要求1所述的用分子束外延（MBE）在GaSb衬底上无催化制备GaSb纳米线的方法，其特征在于，衬底氧化层完全去除后，关闭Sb源挡板的时间为3～5秒，形成局部生长界面。

9.根据专利要求8所述的用分子束外延（MBE）在GaSb衬底上无催化制备GaSb纳米线的方法，其特征在于，衬底形成新的局部生长界面过程，需要RHEED对衬底表面进行监控。

10.根据专利要求8所述的用分子束外延（MBE）在GaSb衬底上无催化制备GaSb纳米线的方法，其特征在于，新界面形成后开始生长，当RHEED图像由竖条变为横条，表明纳米线一维生长。