1.铌钪酸铅-铌镁酸铅-钛酸铅铁电单晶，其特征在于：该材料化学式

为 xPb(Sc1/2Nb1/2)O3-yPb(Mg1/3Nb2/3)O3-(1-x-y)PbTiO3， 其 中：0.01 ≤ x ≤ 0.10，

0.50≤y≤0.70，1-x-y≠0，属于复合钙钛矿结构。

2.根据权利要求1 所述的铌钪酸铅-铌镁酸铅-钛酸铅铁电单晶，其特征在于：所述x=0.02～0.08，y=0.58～0.68，1-x-y=0.32～0.34。

3.根据权利要求1 所述的铌钪酸铅-铌镁酸铅-钛酸铅铁电单晶，其特征在于：优选组分为0.06 Pb(Sc1/2Nb1/2)O3-0.61 Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.33 PbTiO3。

4.一种制备权利要求1 所述的铌钪酸铅-铌镁酸铅-钛酸铅铁电单晶的方法，其特征在于：包括如下具体步骤：a）以99.9%以上纯度的Nb2O5和Sc2O3为初始原料通过固相反应法合成前驱体ScNbO4；

以99.9%以上纯度的Nb2O5和MgO，或者Nb2O5和4MgCO3??Mg(OH)2??4H2O为初始原料通过固相反应法合成前驱体MgNb2O6；

b）按照化学式xPb(Sc1/2Nb1/2)O3-yPb(Mg1/3Nb2/3)O3-(1-x-y)PbTiO3的组成称取前驱体ScNbO4、前驱体MgNb2O6、99.99%以上纯度的初始原料PbO（或Pb3O4）和99.99%以上纯度的初始原料TiO2，进行球磨使其混合均匀，其中：0.01≤x≤0.10，0.50≤y≤0.70，1-x-y≠0； c）将混合均匀的原料装入铂坩埚中，铂坩埚加盖后置于晶体生长炉中，采用坩埚下降法进行晶体生长，工艺参数包括：熔料区炉温1350～1470℃，熔料保温时间12～24小时，炉膛轴向温度梯度20～47℃/cm，坩埚下降速度0.1～1.5mm/h；

d）生长结束后，待晶体炉自然冷却至室温，剥离坩埚即得到单晶。

5.根据权利要求4所述的制备权利要求1所述铌钪酸铅-铌镁酸铅-钛酸铅铁电单晶的方法，其特征在于：所述步骤b）中的球磨为干法球磨或湿法球磨，球磨时间8～20小时。

6.根据权利要求4所述的制备权利要求1所述铌钪酸铅-铌镁酸铅-钛酸铅铁电单晶的方法，其特征在于：所述步骤c）中的铂坩埚的含铂纯度不低于99.9%。

7.根据权利要求4所述的制备权利要求1所述铌钪酸铅-铌镁酸铅-钛酸铅铁电单晶的方法，其特征在于：所述步骤c）中的铂坩埚的底部设有一圆筒状选晶器，圆筒状选晶器的长径比不小于1。

8.一种制备权利要求1 所述的铌钪酸铅-铌镁酸铅-钛酸铅铁电单晶的方法，其特征在于：包括如下具体步骤：a）以99.9%以上纯度的Nb2O5和Sc2O3为初始原料通过固相反应法合成前驱体ScNbO4；

以99.9%以上纯度的Nb2O5和MgO，或者Nb2O5和4MgCO3??Mg(OH)2??4H2O为初始原料通过固相反应法合成前驱体MgNb2O6；

b）按照化学式xPb(Sc1/2Nb1/2)O3-yPb(Mg1/3Nb2/3)O3-(1-x-y)PbTiO3的组成称取前驱体ScNbO4、前驱体MgNb2O6、99.99%以上纯度的初始原料PbO（或Pb3O4）和99.99%以上纯度的初始原料TiO2，配制晶体原料，其中：0.01≤x≤0.10，0.50≤y≤0.70，1-x-y≠0；

c)助溶剂采用99.99%以上纯度的PbO 或Pb3O4，助溶剂加入量为原料总质量的50～

80%；

d)晶体原料和助溶剂经干法或湿法球磨混合均匀，球磨时间8～20小时；

e)将混合均匀的原料装入铂坩埚中，铂坩埚加盖后置于晶体生长炉中化料，化料温度

1200～1350℃，保温时间12～24小时；

f)原料熔化后，进行连续缓慢冷却，工艺参数包括：缓慢冷却开始温度为化料温度，缓慢冷却速度1～15℃/天，缓慢冷却结束温度900℃；

g)缓慢冷却结束后随炉冷却至室温，用热硝酸溶解掉助溶剂，即可得到所需单晶。