1.一种高介电常数的Bi0.90Dy0.10Fe1-xMnxO3铁电薄膜，其特征在于：其化学式为Bi0.90Dy0.10Fe1-xMnxO3，x=0.01～0.05；在1kHz频率下，其剩余极化强度为59.3～95.2μC/2

cm，矫顽场为280～368kV/cm，介电常数为239.2～348.57。

2.根据权利要求1所述的高介电常数的Bi0.90Dy0.10Fe1-xMnxO3铁电薄膜，其特征在于：其为菱方结构，空间点群为R-3m(166)，晶胞参数

晶粒尺寸大小为20～90nm。

3.根据权利要求1或2所述的高介电常数的Bi0.90Dy0.10Fe1-xMnxO3铁电薄膜，其特征在于：包括Bi0.90Dy0.10Fe0.99Mn0.01O3铁电薄膜、Bi0.90Dy0.10Fe0.98Mn0.02O3铁电薄膜、Bi0.90Dy0.10Fe0.97Mn0.03O3铁电薄膜和Bi0.90Dy0.10Fe0.95Mn0.05O3铁电薄膜；

并且Bi0.90Dy0.10Fe0.99Mn0.01O3铁电薄膜在583kV/cm的电场下，剩余极化强度为59.3μC/cm2，矫顽场为280kV/cm，在1kHz～1MHz频率范围内，介电常数为295.4～256.5；

Bi0.90Dy0.10Fe0.98Mn0.02O3铁电薄膜在583kV/cm的电场下，剩余极化强度为94.59μC/cm2，矫顽场为368kV/cm，在1kHz～1MHz频率范围内，介电常数为239.2～279.1；

Bi0.90Dy0.10Fe0.97Mn0.03O3铁电薄膜在1083kV/cm的电场下，饱和极化强度为131.72μC/cm2，剩余极化强度为95.20μC/cm2，矫顽场为335kV/cm，在1kHz～1MHz的频率范围内，介电常数为320.3～263.9，在250kV/cm的电场下，漏电流密度为2.8×10-5A/cm2；

Bi0.90Dy0.10Fe0.95Mn0.05O3铁电薄膜在750kV/cm的电场下，剩余极化强度为60.2μC/cm2，矫顽场为316kV/cm，在1kHz～1MHz的频率范围内，介电常数为348.57～243.4。

4.一种如权利要求1-3中任意一项所述的高介电常数的Bi0.90Dy0.10Fe1-xMnxO3铁电薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步 骤 1：按 摩 尔 比 为 0.95:(1-x):0.10:x 将 Bi(NO3)3·5H2O、Fe(NO3)3·9H2O、Dy(NO3)3·6H2O和C4H6MnO4·4H2O溶于由乙二醇甲醚和醋酸酐混合而成的混合液中，搅拌均匀，得前驱液；其中，前驱液中总的金属离子浓度为0.25～0.35mol/L，x=0.01～0.05；

步骤2：将前驱液旋涂在FTO/glass基片上制备湿膜，湿膜经匀胶后在180～210℃下烘烤得干膜，再在540～550℃退火，得到Bi0.90Dy0.10Fe1-xMnxO3薄膜；

步骤3：待Bi0.90Dy0.10Fe1-xMnxO3薄膜冷却后，再在Bi0.90Dy0.10Fe1-xMnxO3薄膜上重复步骤

2，使Bi0.90Dy0.10Fe1-xMnxO3薄膜达到所需厚度，即得到高介电常数的Bi0.90Dy0.10Fe1-xMnxO3铁电薄膜。

5.根据权利要求4所述的高介电常数的Bi0.90Dy0.10Fe1-xMnxO3铁电薄膜的制备方法，其特征在于：所述的步骤1中混合液中乙二醇甲醚和醋酸酐的体积比为(2.5～3.5):1。

6.根据权利要求4或5所述的高介电常数的Bi0.90Dy0.10Fe1-xMnxO3铁电薄膜的制备方法，其特征在于：所述的步骤1中x=0.01、0.02、0.03或0.05。

7.根据权利要求4所述的高介电常数的Bi0.90Dy0.10Fe1-xMnxO3铁电薄膜的制备方法，其特征在于：所述的步骤2中先将FTO/glass基片清洗、烘干，然后在紫外光下照射处理，使FTO/glass基片表面达到原子清洁度，最后再旋涂前驱液。

8.根据权利要求4或7所述的高介电常数的Bi0.90Dy0.10Fe1-xMnxO3铁电薄膜的制备方法，其特征在于：所述的步骤2中匀胶时的匀胶速率为3800～4100r/min，匀胶时间为12～

20s。

9.根据权利要求4或7所述的高介电常数的Bi0.90Dy0.10Fe1-xMnxO3铁电薄膜的制备方法，其特征在于：所述的步骤2中匀胶后的烘烤时间为8～12min。

10.根据权利要求4或7所述的高介电常数的Bi0.90Dy0.10Fe1-xMnxO3铁电薄膜的制备方法，其特征在于：所述的步骤2中退火时间为7～9min。