1.一种光脉冲信号的检测装置，其特征在于，所述检测装置包括：成像单元，用于通过预设成像方式来获取原始图像数据；

第一采样处理单元，用于对所述原始图像数据进行采样以得到多帧采样图像数据，并将所述多帧采样图像数据进行对比分析，确定疑似发射所述光脉冲信号的一个或者多个疑似发射点，并记录和定位所述一个或者多个疑似发射点的位置；

第二采样处理单元，用于对所述一个或者多个疑似发射点分别进行连续采样，得到所述一个或者多个疑似发射点的信号数据；

信号处理单元，用于从每个疑似发射点的信号数据中解析预定格式的信号，如果解析出则将所述预定格式的信号发送到识别处理单元进行识别；如果未解析出，则调用所述第一采样处理单元和所述第二采样处理单元重新得到疑似发射点的信号数据，其中，所述识别处理单元用于识别所述预定格式的信号所表示的含义。

2.根据权利要求1所述的检测装置，其特征在于，所述预设成像方式为广视角成像。

3.根据权利要求1所述的检测装置，其特征在于，所述第一采样处理单元用于确定光强度变化超过阈值的点为疑似发射点。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的检测装置，其特征在于，

所述第二采样处理单元，还用于在获得所述疑似发射点之后，将所述检测装置锁定，其中，所述检测装置的锁定包括：所述检测装置对已经判断出的非发射点的数据不再进行信号处理；

所述信号处理单元，还用于在未解析出所述预定格式的信号的情况下，解除所述检测装置的锁定。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的检测装置，其特征在于，所述第二采样处理单元，用于在预定时长内对所述疑似发射点进行连续采样，所述第二采样处理单元将所述疑似发射点的光强度超过阈值标记为1，未超过所述阈值则标记为0。

6.根据权利要求1至3中任一项所述的检测装置，其特征在于，所述成像单元包括：电荷耦合元件CCD，或者，互补金属氧化物半导体CMOS。

7.根据权利要求1至3中任一项所述的检测装置，其特征在于，所述成像单元的成像帧率fc与发射点的发射脉冲频率fs的关系为：fc=N*fs，其中，所述N大于或等于2。

8.一种光脉冲信号的检测方法，其特征在于包括：

通过预设成像方式来获取原始图像数据；

对所述原始图像数据进行采样以得到多帧采样图像数据，并将所述多帧采样图像数据进行比对分析，确定疑似发射所述光脉冲信号的一个或者多个疑似发射点，并记录和定位所述一个或者多个疑似发射点的位置；

对所述一个或者多个疑似发射点分别进行连续采样，得到所述一个或者多个疑似发射点的信号数据；

从每个疑似发射点的信号数据中解析预定格式的信号，如果解析出则识别所述预定格式的信号所表示的含义；如果未解析出，则重新得到疑似发射点的信号数据，并从重新得到的疑似发生点的信号数据中解析出所述预定格式的信号。

9.根据权利要求8所述的检测方法，其特征在于，所述预设成像方式为广视角成像。

10.根据权利要求8所述的检测方法，其特征在于，所述确定疑似发射所述光脉冲信号的一个或者多个疑似发射点的步骤包括：确定光强度变化超过阈值的点为所述一个或者多个疑似发射点。

11.根据权利要求8至10中任一项所述的检测方法，其特征在于，所述检测方法还包括：在获得所述疑似发射点之后，进行锁定，其中，所述锁定包括对已经判断出的非发射点的数据不再进行信号处理；

在未解析出所述预定格式的信号的情况下，解除锁定。