1.一种基于标准CMOS工艺的双结深PN结光电二极管,其特征在于：包括由半导体硅P型衬底（1）和N型阱（2）构成的深结PN结光电二极管;由P型源漏注入（4）和所述N型阱（2）构成的浅结PN结光电二极管，所述半导体硅P型衬底（1）为所述深结PN结光电二极管的阳极，所述N型阱（2）为所述深结PN结光电二极管的阴极；所述P型源漏注入（4）为所述浅结PN结光电二极管的阳极，所述N型阱（2）为所述浅结PN结光电二极管的阴极；所述半导体硅P型衬底（1）通过P型源漏注入（5）形成重掺杂欧姆接触，并通过金属接触孔（6）引出，所述N型阱（2）通过N型源漏注入（3）形成重掺杂欧姆接触，并通过金属接触孔（8）引出，所述P型源漏注入（4）通过接触孔（7）引出，所述金属接触孔（7、8、9）位于半导体绝缘层（9）中，所述深结PN结光电二极管和所述浅结PN结光电二极管共用所述N型阱（2）构成双结深PN结光电二极管的阴极，所述深结PN结光电二极管阳极和所述浅结PN结光电二极管阳极并联构成双结深PN结光电二极管的阳极。

2.如权利要求1所述的双结深PN结光电二极管,其特征在于：所述双结深PN结光电二极管由所述深结PN结光电二极管和所述浅结PN结光电二极管并联构成；所述深结PN结光电二极管可用二极管（10）等效，所述浅结PN结光电二极管可用二极管（11）等效，所述二极管（10）和所述二极管（11）阳极并联，形成端口（12），所述二极管（10）和所述二极管（11）阴极并联，形成端口（13）；在使用时，所述端口（12）接地，所述端口（13）接一正向电压，所述双结深PN结光电二极管反向偏置，当荧光照射时，在所述双结深PN结光电二极管端口（12）和端口（13）之间形成光电流。