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专利号: 2013101019284
申请人: 陕西科技大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 基本电气元件
更新日期:2023-09-12
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种混合照明白光器件,其特征在于:包括红绿掺杂的OLED器件以及若干个白光LED芯片,所述OLED器件与若干个白光LED芯片设置于同一个基板上,OLED器件以及白光LED芯片发出的光线经过同一个灯罩进行二次配光后形成用于照明的白光。

2.根据权利要求1所述一种混合照明白光器件,其特征在于:所述OLED器件以及白光LED芯片采用串联或并联方式相互连接。

3.根据权利要求1所述一种混合照明白光器件,其特征在于:所述OLED器件的结构为:ITO/MoO3/NPB/TCTA/CBP:R-4B:GIR1/BCP/Alq3/LiF/Al。

4.根据权利要求3所述一种混合照明白光器件,其特征在于:所述MoO3的厚度为30-60nm,NPB的厚度为30-60nm,Alq3的厚度为30-60nm,TCTA的厚度为8-12nm,CBP:R-4B:GIR1的厚度为20-50nm,BCP的厚度为8-12nm,R-4B的掺杂质量为CBP质量的

1-8%,GIR1的掺杂质量为CBP质量的2-16%。

5.根据权利要求3所述一种混合照明白光器件,其特征在于:所述MoO3的厚度为

30-60nm,NPB的厚度为40nm,Alq3的厚度为40nm,TCTA的厚度为10nm,CBP:R-4B:GIR1的厚度为30nm,BCP的厚度为10nm,R-4B的掺杂质量为CBP质量的1-8%,GIR1的掺杂质量为CBP质量的14%。

6.根据权利要求1所述一种混合照明白光器件,其特征在于:所述OLED器件的结构为:ITO/MoO3/NPB/TCTA/CBP:R-4B:GIR1/BCP/Alq3/LiF/Al,MoO3的厚度为40nm,NPB的厚度为40nm,Alq3的厚度为40nm,TCTA的厚度为10nm,CBP:R-4B:GIR1的厚度为30nm,BCP的厚度为10nm,R-4B的掺杂质量为CBP质量的2%,GIR1的掺杂质量为CBP质量的14%。