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专利号: 2013100660327
申请人: 溧阳华晶电子材料有限公司
专利类型:发明专利
专利状态:无效专利
专利领域: 基本电气元件
更新日期:2024-04-10
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种氮镁共掺杂的p型氧化锌薄膜,其特征在于:所述氮镁共掺杂的p型氧化锌薄膜中Mg的摩尔百分含量是5-11%,氮的摩尔百分含量是0.8-1.7%;其中,所述氮镁共掺杂的p型氧化锌薄膜在常温下,其压电常数d33大于16pC/

10

N,其电阻率大于1.2×10 Ω·cm。

2.如权利要求1所述的氮镁共掺杂p型氧化锌薄膜,其特征在于:所述氮镁共掺杂的p型氧化锌薄膜在蓝宝石衬底上通过射频磁控溅射方法来形成,其厚度为300-400nm。