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专利号: 2011103749282
申请人: 陕西科技大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 晶体生长〔3〕
更新日期:2024-02-28
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种铜酸镧(La2CuO4)薄膜的制备方法,其特征在于:

3+

1)将分析纯的La(NO3)3·nH2O加入60ml~100ml蒸馏水中磁力搅拌配制成La 浓度为0.3mol/L~0.6mol/L的透明溶液A;

3+ 2+

2)向A溶液中加入分析纯的Cu(NO3)2·3H2O,使得La 与Cu 的摩尔比为2:1,并不断搅拌,然后向溶液中加入草酸,使草酸与阳离子总和的摩尔比为(0.5~3):1,最后加入1~

8滴乙酰丙酮,搅拌均匀后静置5h~20h得溶液B;

3)将经双氧水和硝酸活化处理后的硅基片浸入溶液B中;将B溶液放在紫外光—微波仪中照射5h~20h后取出硅基片,将硅基片用丙酮清洗后放入干燥箱中,在80℃~110℃下干燥得单一物相的La2CuO4薄膜。